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　　一、擴散硅壓力變送器的一般介紹：

　　硅單晶材料在受到外力作用產(chǎn)生極微小應變時(shí)（一般步于400微應變），其內部原子結構的電子能級狀態(tài)會(huì )發(fā)生變化，從而導致其電阻率劇烈變化（G因子突變）。用此材料制成的電阻也就出現極大變化，這種物理效應稱(chēng)為壓阻效應。利用壓阻效應原理，采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過(guò)摻雜、擴散，沿單晶硅片上的特點(diǎn)晶向，制成應變電阻，構成惠斯凳電橋，利用硅材料的彈性力學(xué)特性，在同一切硅材料上進(jìn)行各向異性微加工，就制成了一個(gè)集力敏與力電轉換檢測于一體的擴散硅傳感器。給傳感器匹配一放大電路及相關(guān)部件，使之輸出一個(gè)標準信號，就組成了一臺完整的壓力變送器。

　　二、技術(shù)特點(diǎn)：

　　1、靈敏度高

　　擴散硅敏感電阻的靈敏因子比金屬應變片高50~80倍，它的滿(mǎn)量程信號輸出在80-100mv左右。對接囗電路適配性好，應用成本相應較低。由于它輸入激勵電壓低，輸出信號大，且無(wú)機械動(dòng)件損耗，因而分辯率極高。

　　2、可靠性高

　　擴散硅敏感膜片的彈性形變量在微應變數量級，膜片zui大位移量在來(lái)微米數量級，且無(wú)機械磨損，無(wú)疲勞，無(wú)老化。平均無(wú)故障時(shí)間長(cháng)，性能穩定，可靠性高。

　　3、精度高

　　擴散硅壓力傳感器的感受、敏感轉換和檢測三位一體，無(wú)機械動(dòng)件連接轉換環(huán)節，所以不重復性和遲滯誤差很小。由于硅材料的剛性好萊塢，形變小，因而傳感器的線(xiàn)性也非常好。因此綜合表態(tài)精度很高。

　　4、頻響高

　　由于敏感膜片硅材料的本身固有頻率高，一般在50KC。制造過(guò)程采用了集成工藝，膜片的有效面積可以很小，配以剛性結構前置安裝特殊設計，使傳感器頻率響應很高，使用帶寬可達零頻至100千赫茲。

　　5、抗電擊穿性能好

　　由于采用了特殊材料和裝配工藝，擴散硅傳感器不但可以做到130℃正常使用，在強磁場(chǎng)、高電壓擊穿試驗中可抗擊1500V/AC電壓的沖擊壓力變送器。

　　6、度性能好

　　隨著(zhù)集成工藝技術(shù)進(jìn)步，擴散硅敏感膜的四個(gè)電阻一致性得到進(jìn)一步提高，原始的手工補償已被激光調阻、計算機自動(dòng)休整技術(shù)所替代，傳感器的零位和靈敏度溫度系數已達10-5

　　/℃數量級，工作溫度也大幅度提高。

　　7、耐腐蝕性好

　　由于擴散硅材料本身優(yōu)良的化學(xué)防腐性能好，即使傳感器受壓面不隔離，出能在普通使用中適應各種介質(zhì)。硅材料又與硅油有良好的兼容性，使它在采用防腐材料隔離時(shí)結構工藝更易于實(shí)現。加之它的低電壓、低電流、低功耗、低成本和本質(zhì)安全防爆的特點(diǎn)，可替代諸多同類(lèi)型的同功能產(chǎn)品，具有*良的性能價(jià)格比。